70V3379S5BC
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
설명:
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
256-cabga (17x17)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
메모리 용량:
576Kbit
전압 - 공급:
3.15V ~ 3.45V
엑세스 시간:
5 나노 초
패키지 / 케이스:
256-LBGA
메모리구성:
32K x 18
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 듀얼 포트, 동기식
기본 제품 번호:
70V3379
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 듀얼 포트, 동기 메모리 IC 576Kbit 병렬 5 ns 256-CABGA (17x17)
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: