사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
구식
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
70 나노 초
공급자의 장치 패키지:
66-SCSP(8x12)
기억 영역형:
비휘발성, 휘발성
Mfr:
인텔
메모리 용량:
16Mbit(플래시), 4Mbit(RAM)
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.3V
엑세스 시간:
70 나노 초
패키지 / 케이스:
66-LFBGA, CSPBGA
메모리구성:
-
작동 온도:
-25' C ~ 85' C (TC)
기술:
플래시, 스램
기본 제품 번호:
RD28F1604
메모리 포맷:
플래시, RAM
소개
플래시, SRAM 메모리 IC 16Mbit (FLASH), 4Mbit (RAM) 병렬 70 ns 66-SCSP (8x12)
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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![]() |
GT28F320B3TA100 |
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