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CY14V104LA-BA45XI

제조 업체:
인피니온 테크놀로지
설명:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
45 나노 초
공급자의 장치 패키지:
48-에프비지에이 (6x10)
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
인피니온 테크놀로지
메모리 용량:
4Mbit
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
엑세스 시간:
45 나노 초
패키지 / 케이스:
48-tfbga
메모리구성:
512K X 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
NVSRAM (비휘발성 SRAM)
기본 제품 번호:
CY14V104
메모리 포맷:
NVSRAM
소개
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 IC 4Mbit 평행 45 ns 48-FBGA (6x10)
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