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71V256SA12YG

제조 업체:
IDT, 집적 소자 테크놀리지사
설명:
71V256 - 낮은 전력 3.3V CMOS F
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
12 나노 초
공급자의 장치 패키지:
28-SOJ
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
IDT, 집적 소자 테크놀리지사
메모리 용량:
256Kbit
전압 - 공급:
3V ~ 3.6V
엑세스 시간:
12ns
패키지 / 케이스:
28-BSOJ(0.300", 폭 7.62mm)
메모리구성:
32K X 8
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
기본 제품 번호:
71V256
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 256Kbit 병렬 12 ns 28-SOJ
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