사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
4Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
SPI - 쿼드 입출력
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
50us, 2.4 부인
공급자의 장치 패키지:
8-uson (2x3)
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
제한된 기가데비스 반도체 (HK)
클럭 주파수:
104 마하즈
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
패키지 / 케이스:
8-XFDFN 노출된 패드
메모리구성:
512K X 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
플래시 -도 또한
기본 제품 번호:
GD25Q40
메모리 포맷:
플래시
소개
플래시 - NOR 메모리 IC 4Mbit SPI - 쿼드 I/O 104 MHz 8-USON (2x3)
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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![]() |
GD25Q40CSIGR |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
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![]() |
GD25LQ128DWIGR |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
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GD25Q127CSIG |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP
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