71V65803S150BQG
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
IDT, 집적 소자 테크놀리지사
설명:
IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
9Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
165-CABGA(13x15)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
IDT, 집적 소자 테크놀리지사
클럭 주파수:
150 마하즈
전압 - 공급:
3.135V ~ 3.465V
엑세스 시간:
3.8 나노 초
패키지 / 케이스:
165-TBGA
메모리구성:
512K x 18
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 동기식, SDR(ZBT)
기본 제품 번호:
71V65803
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 동기, SDR (ZBT) 메모리 IC 9Mbit 평행 150 MHz 3.8 ns 165-CABGA (13x15)
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