사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
마지막 시기 구입
장착형:
구멍을 통해
패키지:
튜브
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
35 나노 초
공급자의 장치 패키지:
28-CDIP
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
메모리 용량:
64Kbit
전압 - 공급:
4.5V ~ 5.5V
엑세스 시간:
35 나노 초
패키지 / 케이스:
28 CDIP (0.600 ", 15.24 밀리미터)
메모리구성:
8K X 8
작동 온도:
-55°C ~ 125°C(TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
기본 제품 번호:
7164L
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 64Kbit 병렬 35 ns 28-CDIP
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