사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
4.5Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
100-tqfp (14x20)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
싸이프레스 반도체 법인
클럭 주파수:
133 마하즈
전압 - 공급:
3.15V ~ 3.6V
엑세스 시간:
4 나노 초
패키지 / 케이스:
100-LQFP
메모리구성:
256K x 18
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 동시에 일어나는, SDR
기본 제품 번호:
CY7C1327
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 동기의, SDR 메모리용 IC 4.5Mbit 대비 133 마하즈 4 나노 초 100 TQFP (14x20)
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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CY7C2563KV18-400BZXI |
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