사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
8Gbit
제품 상태:
마지막 시기 구입
장착형:
표면 마운트
패키지:
상자
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
18 나노 초
공급자의 장치 패키지:
200-tfbga (10x14.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
마이크론 테크놀러지.
클럭 주파수:
2.133 기가헤르츠
전압 - 공급:
1.06V ~ 1.17V
패키지 / 케이스:
200-tfbga
메모리구성:
256M X 32
작동 온도:
-30' C ~ 85' C (TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR4X
엑세스 시간:
3.5 나노 초
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 LPDDR4X 메모리 IC 8Gbit 병렬 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14.5)
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