사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
ONFI
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
25 나노 초
공급자의 장치 패키지:
63-vfbga (9x11)
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
윈본드 전자공학
메모리 용량:
2Gbit
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
63-vfbga
메모리구성:
256M x 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
플래시 - NAND (SLC)
기본 제품 번호:
W29N02
메모리 포맷:
플래시
소개
플래시 - NAND (SLC) 메모리 IC 2Gbit ONFI 20 ns 63-VFBGA (9x11)
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