필터
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메모리
| 이미지 | 부분 # | 설명 | 제조 업체 | 주식 | RFQ | |
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![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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S70GL02GS12FHIV13 |
IC 플래시 2GBIT 병렬 64FBGA
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인피니온 테크놀로지
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MT53E512M16D1FW-046 AAT:D |
LPDDR4 8G 512MX16 FBGA
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마이크론 테크놀러지.
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93LC66XT-I/SN |
IC EEPROM 4KBIT 마이크로와이어 8SOIC
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마이크로칩 테크놀로지
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24LC64FT-I/ST |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP
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마이크로칩 테크놀로지
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CY15B108QN-40LPXI |
IC 프레임 8MBIT SPI 40MHZ 8GQFN
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인피니온 테크놀로지
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FEMC016GTTE7-T13-27 |
IC 플래시 128GBIT EMMC 100FBGA
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플렉슨 Pte Ltd
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FM24C64B-G |
FRAM (FERROELECTRIC RAM) 메모리
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싸이프레스 반도체 법인
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M5M5256DVP-70LL#SE |
표준 SRAM, 32KX8
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레네사스 일렉트로닉스 아메리카
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S29JL032J70TFI010 |
IC 플래시 32MBIT 병렬 48TSOP
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싸이프레스 반도체 법인
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S29GL128S90DHA013 |
IC 플래시 128MBIT 병렬 64FBGA
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인피니온 테크놀로지
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93C06E/P |
IC EEPROM 256BIT 마이크로와이어 8DIP
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마이크로칩 테크놀로지
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S29GL128S10DHI010 |
IC 플래시 128MBIT 병렬 64FBGA
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인피니온 테크놀로지
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A1763803-C |
Dell A1763803 호환 2GB DDR
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프로랩스
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GD25LD20CEIGR |
IC FLSH 2MBIT SPI/듀얼 I/O 8USON
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제한된 기가데비스 반도체 (HK)
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71V67703S75BGG8 |
IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 119PBGA
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레네사스 일렉트로닉스 아메리카
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S26KS512SDPBHI020 |
IC 플래시 512MBIT PAR 24FBGA
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인피니온 테크놀로지
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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
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마이크론 테크놀러지.
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IS42S32200L-5TL-TR |
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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CY7C1354C-166AXC |
IC SRAM 9MBIT 병렬 100TQFP
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인피니온 테크놀로지
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IS42S32400F-7TL-TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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93LC66AT-E/OT |
IC EEPROM 4KBIT MIC 와이어 SOT23-6
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마이크로칩 테크놀로지
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70T3519S133BFI8 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
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레네사스 일렉트로닉스 아메리카
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S80KS2563GABHB020 |
IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
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인피니온 테크놀로지
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7132LA55C |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48
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레네사스 일렉트로닉스 아메리카
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W25N04KVTBIR TR |
IC 플래시 4GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
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윈본드 전자공학
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MT4기생물 |
IC SRAM 18MBIT 파 165FBGA
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마이크론 테크놀러지.
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93LC86-I/SN |
IC EEPROM 16KBIT 마이크로와이어 8SOIC
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마이크로칩 테크놀로지
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24LC08B-E/P |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8DIP
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마이크로칩 테크놀로지
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24AA01HT-I/LT |
IC EEPROM 1KBIT I2C SC70-5
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마이크로칩 테크놀로지
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47L16-I/ST |
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
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마이크로칩 테크놀로지
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25AA320A-I/ST |
IC EEPROM 32KBIT SPI 8TSSOP
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마이크로칩 테크놀로지
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71V35761SA183BGGI8 |
IC SRAM 4.5MBIT 파 119PBGA
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레네사스 일렉트로닉스 아메리카
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S29GL064S80DHB023 |
IC 플래시 64MBIT 병렬 64FBGA
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인피니온 테크놀로지
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MT40A512M16LY-062E AAT :Ｅ |
IC 드램 8GBIT 대비 96FBGA
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마이크론 테크놀러지.
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S26KS128SDGBHN030 |
IC 플래시 128MBIT PAR 24FBGA
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인피니온 테크놀로지
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IS64WV2568EDBLL-10CTLA3 |
IC SRAM 2MBIT 병렬 44TSOP II
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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AT25DN256-XMHF-B |
IC 플래시 256KBIT SPI 8TSSOP
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르네사스 디자인 독일 GmbH
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24AA044T-E/ST |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
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마이크로칩 테크놀로지
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IS42S32160F-75ETLI-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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IS62WV102416GBLL-45TLI |
IC SRAM 16MB 병렬 48TSOP I
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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AS4C2M32S-7BCN |
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA
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협력 메모리, Inc.
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CY7C1021D-10VXIT |
SRAM - 비동기 메모리 IC 1M
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싸이프레스 반도체 법인
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IS43LR16640A-6BL-TR |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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S70GL02GT12FHBV23 |
IC 플래시 2GBIT 병렬 64FBGA
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인피니온 테크놀로지
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CY7C1515KV18-250BZXI |
IC SRAM 72MBIT 파 165FBGA
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인피니온 테크놀로지
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AS8C801800-QC150N |
IC SRAM 9MBIT 파 150MHZ 100TQFP
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협력 메모리, Inc.
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24FC08-E/MS |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8MSOP
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마이크로칩 테크놀로지
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IS61WV25616EDBLL-10TLI |
IC SRAM 4MBIT 병렬 44TSOP II
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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UPD46184182BF1-E40-EQ1 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45NS
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레네사스 일렉트로닉스 아메리카
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IS61DDB451236A-250M3L |
IC SRAM 18MB 병렬 165LFBGA
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ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
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