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W956D8MBYA5I TR

제조 업체:
윈본드 전자공학
설명:
IC DRAM 64MBIT 하이퍼버스 24TFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
64Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
히페뷔스
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
35 나노 초
공급자의 장치 패키지:
24-TFBGA(6x8)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
윈본드 전자공학
클럭 주파수:
200MHz
전압 - 공급:
1.7V ~ 2V
엑세스 시간:
35 나노 초
패키지 / 케이스:
24-tbga
메모리구성:
8M X 8
작동 온도:
-40' C ~ 85' C (TC)
기술:
하이퍼램
기본 제품 번호:
W956D8
메모리 포맷:
DRAM
소개
하이퍼램 메모리 IC 64Mbit 하이퍼버스 200 MHz 35 ns 24-TFBGA (6x8)
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