R1WV6416RBG-5SI#B0
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
르네사스
설명:
R1WV6416RBG-5SI - 저전력 SRAM
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
구식
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
55 나노 초
공급자의 장치 패키지:
48-TFBGA (8.5x11)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
르네사스
메모리 용량:
64Mbit
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
패키지 / 케이스:
48-tfbga
메모리구성:
4M x 16, 8M x 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
엑세스 시간:
55 나노 초
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 64Mbit 병렬 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)
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