UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
르네사스
설명:
IC 드램 576MBIT HSTL 144TFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
576Mbit
제품 상태:
구식
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
HSTL
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
144-TFBGA(11x18.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
르네사스
클럭 주파수:
400 MHz
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.9V
패키지 / 케이스:
144-TBGA
메모리구성:
64M x 9
작동 온도:
0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
LLDRAM
기본 제품 번호:
UPD48576209
메모리 포맷:
DRAM
소개
LLDRAM 메모리 IC 576Mbit HSTL 400 MHz 144-TFBGA (11x18.5)
관련 제품
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: