IS43TR85120BL-125KBLI
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제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
4Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
78-TWBGA(9x10.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
클럭 주파수:
800 마하즈
전압 - 공급:
1.283V ~ 1.45V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
78-tfbga
메모리구성:
512M Ｘ 8
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - DDR3L
기본 제품 번호:
IS43TR85120
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 4Gbit 평행 800 MHz 20 ns 78-TWBGA (9x10.5)
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