IS46TR16128C-125KBLA1-TR
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC DRAM 2GBIT 병렬 96TWBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
2Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
96-twbga (9x13)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
클럭 주파수:
800 마하즈
전압 - 공급:
1.425V ~ 1.575V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
96-tfbga
메모리구성:
128M Ｘ 16
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - DDR3
기본 제품 번호:
IS46TR16128
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3 메모리 IC 2Gbit 평행 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)
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