IS43TR16512BL-125KBL
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제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
8Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
96-TWBGA(10x14)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
클럭 주파수:
800 마하즈
전압 - 공급:
1.283V ~ 1.45V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
96-tfbga
메모리구성:
512M x 16
작동 온도:
0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - DDR3L
기본 제품 번호:
IS43TR16512
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 8Gbit 평행 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (10x14)
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