사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
구멍을 통해
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
200 나노 초
공급자의 장치 패키지:
18-하락
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
인텔
메모리 용량:
4Kbit
전압 - 공급:
4.5V ~ 5.5V
패키지 / 케이스:
18-하락
메모리구성:
1K x 4
작동 온도:
-55°C ~ 125°C(TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
엑세스 시간:
200 나노 초
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 4Kbit 평행 200 ns 18-DIP
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