EM6OE16NWAKA-07IH
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제조 업체:
에트론 기술, Inc.
설명:
IC DRAM 4GBIT 포드 96FBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
4Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
포드
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
96-에프비지에이 (7.5x13.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
에트론 기술, Inc.
클럭 주파수:
1.333 기가헤르츠
전압 - 공급:
1.14V ~ 1.26V
엑세스 시간:
18 나노 초
패키지 / 케이스:
96-tfbga
메모리구성:
256M Ｘ 16
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM
기본 제품 번호:
EM6OE16
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM 메모리 IC 4Gbit POD 1.333 GHz 18 ns 96-FBGA (7.5x13.5)
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