사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
1Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
96-에프비지에이 (9x13)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
에트론 기술, Inc.
클럭 주파수:
800 마하즈
전압 - 공급:
1.283V ~ 1.45V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
96-tfbga
메모리구성:
64M X 16
작동 온도:
-40' C ~ 95' C (TC)
기술:
SDRAM - DDR3L
기본 제품 번호:
EM6HC16
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 1Gbit 평행 800 MHz 20 ns 96-FBGA (9x13)
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IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
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EM6GC08EWUG-10IH
IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
이미지 | 부분 # | 설명 | |
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EM6HD16EWBH-10H |
IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
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EM6HE16EWXD-10H |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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![]() |
EM68C16CWQG-25H |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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EM6GA16LCAEA-12H |
IC DRAM 256MBIT PAR 50WLCSP
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![]() |
EM6OE16NWAKA-07H |
IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
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![]() |
EM6HD08EWUF-10H |
IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
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EM68C16CWQG-25IH |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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![]() |
EM6OE16NWAKA-07IH |
IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
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![]() |
EM6HE16EWAKG-10IH |
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![]() |
EM6HE16EWAKG-10H |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
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EM63A165BM-5H |
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EM6HD08EWUF-10IH |
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EM6HF16EBXB-12SH |
8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND
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![]() |
EM6GE08EW9G-10H |
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EM6GD08EWUF-10IH |
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EM6GD08EWAHH-10H |
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EM6HC08EWUG-10H |
IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
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EM6GC08EWUG-10IH |
IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
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