EM63A165BM-5H
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제조 업체:
에트론 기술, Inc.
설명:
IC DRAM 256MBIT 병렬 54FBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
256Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
10 나노 초
공급자의 장치 패키지:
54-FBGA(8x8)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
에트론 기술, Inc.
클럭 주파수:
200MHz
전압 - 공급:
3V ~ 3.6V
엑세스 시간:
4.5 나노 초
패키지 / 케이스:
54-tfbga
메모리구성:
16M Ｘ 16
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SDRAM
기본 제품 번호:
EM63A165
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM 메모리 IC 256Mbit 병렬 200 MHz 4.5 ns 54-FBGA (8x8)
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