MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
마이크론 테크놀러지.
설명:
IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
32Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
18 나노 초
공급자의 장치 패키지:
376-WFBGA(14x14)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
마이크론 테크놀러지.
클럭 주파수:
2.133 기가헤르츠
전압 - 공급:
1.06V ~ 1.17V
엑세스 시간:
3.5 나노 초
패키지 / 케이스:
376-WFBGA
메모리구성:
512Mx64
작동 온도:
-25' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR4
기본 제품 번호:
MT53E512
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 LPDDR4 메모리 IC 32Gbit 병렬 2.133 GHz 3.5 ns 376-WFBGA (14x14)
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