IS61WV2568EDBLL-10BLI
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제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC SRAM 2MBIT 병렬 36TFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
10 나노 초
공급자의 장치 패키지:
36-tfbga (6x8)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
메모리 용량:
2Mbit
전압 - 공급:
2.4V ~ 3.6V
엑세스 시간:
10 나노 초
패키지 / 케이스:
36-tfbga
메모리구성:
256K Ｘ 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
기본 제품 번호:
IS61WV2568
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 2Mbit 병렬 10 ns 36-TFBGA (6x8)
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