IS43LR16640A-5BL
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제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
1Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
60-TWBGA (8x10)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
클럭 주파수:
200MHz
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.95V
엑세스 시간:
5 나노 초
패키지 / 케이스:
60-tfbga
메모리구성:
64M Ｘ 16
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR
기본 제품 번호:
IS43LR16640
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 1Gbit 평행 200 MHz 5 ns 60-TWBGA (8x10)
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