IS42RM32160E-75BLI
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제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
512Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
-
공급자의 장치 패키지:
90-tfbga (8x13)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
클럭 주파수:
133 마하즈
전압 - 공급:
2.3V ~ 3V
엑세스 시간:
6ns
패키지 / 케이스:
90-tfbga
메모리구성:
16M Ｘ 32
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SDRAM - 모바일
기본 제품 번호:
IS42RM32160
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 메모리 IC 512Mbit 병렬 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)
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