IS43LD16320A-25BLI-TR
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제조 업체:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
설명:
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
512Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
134-TFBGA(10x11.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
ISSI, 통합된 실리콘 융액 Inc
클럭 주파수:
400 MHz
전압 - 공급:
1.14V ~ 1.95V
패키지 / 케이스:
134-TFBGA
메모리구성:
32M Ｘ 16
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4
기본 제품 번호:
IS43LD16320
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4 메모리 IC 512Mbit 병렬 400 MHz 134-TFBGA (10x11.5)
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