MR2A08AMYS35R
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제조 업체:
에버스핀 테크놀러지스사.
설명:
IC 램 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
자동차, AEC-Q100
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
35 나노 초
공급자의 장치 패키지:
44-TSOP2
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
에버스핀 테크놀러지스사.
메모리 용량:
4Mbit
전압 - 공급:
3V ~ 3.6V
엑세스 시간:
35 나노 초
패키지 / 케이스:
44 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭)
메모리구성:
512K Ｘ 8
작동 온도:
-40°C ~ 125°C(TA)
기술:
MRAM(자기 저항 RAM)
기본 제품 번호:
MR2A08
메모리 포맷:
RAM
소개
MRAM (마그네토레시티브 램) 메모리 IC 4Mbit 병렬 35 ns 44-TSOP2
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