MR2A16AVMA35
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제조 업체:
에버스핀 테크놀러지스사.
설명:
IC RAM 4MBIT 병렬 48FBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
35 나노 초
공급자의 장치 패키지:
48-FBGA(8x8)
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
에버스핀 테크놀러지스사.
메모리 용량:
4Mbit
전압 - 공급:
3V ~ 3.6V
엑세스 시간:
35 나노 초
패키지 / 케이스:
48-lfbga
메모리구성:
256K x 16
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 105' Ｃ (TA)
기술:
MRAM(자기 저항 RAM)
기본 제품 번호:
MR2A16
메모리 포맷:
RAM
소개
MRAM (마그네토레시티브 램) 메모리 IC 4Mbit 병렬 35 ns 48-FBGA (8x8)
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MR25H256AMDF
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| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
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EM032LXQADG13CS1R |
IC RAM 32MBIT SPI/OCTAL 8DFN
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EM064LXQADG13CS1T |
IC RAM 64MBIT SPI/OCTAL 8DFN
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MR0A16AMYS35 |
IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
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EM008LXQADG13IS1R |
IC RAM 8MBIT SPI/OCTAL 8DFN
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MR0A08BYS35R |
IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
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MR10Q010VMBR |
IC RAM 1MBIT SPI/QUAD 24BGA
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MR25H10MDFR |
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MR2A16AVYS35 |
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MR25H256AMDF |
IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN
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