AS6C6264-55PCN
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
협력 메모리, Inc.
설명:
IC SRAM 64KBIT 병렬 28DIP
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
구멍을 통해
패키지:
튜브
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
55 나노 초
공급자의 장치 패키지:
28-PDIP
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
협력 메모리, Inc.
메모리 용량:
64Kbit
전압 - 공급:
2.7V ~ 5.5V
엑세스 시간:
55 나노 초
패키지 / 케이스:
28-DIP(0.600", 15.24mm)
메모리구성:
8K Ｘ 8
작동 온도:
0°C ~ 70°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
기본 제품 번호:
AS6C6264
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 64Kbit 병렬 55 ns 28-PDIP
관련 제품
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: