사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
4Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
78-FBGA (7.5x10.6)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
협력 메모리, Inc.
클럭 주파수:
800 마하즈
전압 - 공급:
1.283V ~ 1.45V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
78-tfbga
메모리구성:
512M X 8
작동 온도:
-40' C ~ 105' C (TC)
기술:
SDRAM - DDR3L
기본 제품 번호:
AS4C512
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 4Gbit 평행 800 MHz 20 ns 78-FBGA (7.5x10.6)
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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