사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
2Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
96-에프비지에이 (7.5x13)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
협력 메모리, Inc.
클럭 주파수:
800 마하즈
전압 - 공급:
1.283V ~ 1.45V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
96-vfbga
메모리구성:
128M X 16
작동 온도:
0' C ~ 95' C (TC)
기술:
SDRAM - DDR3L
기본 제품 번호:
AS4C128
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 2Gbit 800 MHz 20 ns 96-FBGA (7.5x13)
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AS4C256M16D3C-12BINTR
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
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