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AS4C4M16SA-6BANTR

제조 업체:
협력 메모리, Inc.
설명:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
64Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
자동차, AEC-Q100
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
2 나노 초
공급자의 장치 패키지:
54-tfbga (8x8)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
협력 메모리, Inc.
클럭 주파수:
166 마하즈
전압 - 공급:
3V ~ 3.6V
엑세스 시간:
5.4 나노 초
패키지 / 케이스:
54-tfbga
메모리구성:
4M X 16
작동 온도:
-40' C ~ 105' C (TA)
기술:
SDRAM
기본 제품 번호:
AS4C4M16
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM 메모리 IC 64Mbit 병렬 166 MHz 5.4 ns 54-TFBGA (8x8)
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