LD2114AL4
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
인텔
설명:
IC SRAM 4KBIT 병렬 18CDIP
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
구멍을 통해
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
200 나노 초
공급자의 장치 패키지:
18-CDIP
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
인텔
메모리 용량:
4Kbit
전압 - 공급:
4.5V ~ 5.5V
패키지 / 케이스:
18-CDIP
메모리구성:
1K x 4
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
엑세스 시간:
200 나노 초
메모리 포맷:
SRAM
소개
SRAM - 비동기 메모리 IC 4Kbit 병렬 200 ns 18-CDIP
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| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
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