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AS4C256M32MD4-062BAN

제조 업체:
협력 메모리, Inc.
설명:
IC DRAM 8GBIT LVSTL 200FBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
8Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
LVSTL
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
18 나노 초
공급자의 장치 패키지:
200-FBGA(10x14.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
협력 메모리, Inc.
클럭 주파수:
1.6 기가헤르츠
전압 - 공급:
10.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
엑세스 시간:
3.5 나노 초
패키지 / 케이스:
200-tfbga
메모리구성:
256M X 32
작동 온도:
-40' C ~ 105' C (TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR4
기본 제품 번호:
AS4C256
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 LPDDR4 메모리 IC 8Gbit LVSTL 1.6 GHz 3.5 ns 200-FBGA (10x14.5)
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