W66BM6NBUAFJ TR
![품질 [#varpname#] 공장](/images/load_icon.gif){kind=icon}
제조 업체:
윈본드 전자공학
설명:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
분류:
메모리
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
2Gbit
제품 상태:
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
LVSTL_11
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
18 나노 초
공급자의 장치 패키지:
200-wfbga (10x14.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
윈본드 전자공학
클럭 주파수:
1.6 기가헤르츠
전압 - 공급:
10.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
엑세스 시간:
3.5 나노 초
패키지 / 케이스:
200-wfbga
메모리구성:
128M Ｘ 16
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 105' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR4X
기본 제품 번호:
W66BM6
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - 모바일 LPDDR4X 메모리 IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
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