사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
8Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
튜브
시리즈:
SpiFlash®
프로그램 가능한 디기키:
검증됩니다
기억기접합:
SPI - 쿼드 입출력
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
3명의 부인
공급자의 장치 패키지:
8-SOIC
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
윈본드 전자공학
클럭 주파수:
104 마하즈
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
패키지 / 케이스:
8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비)
메모리구성:
1M X 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
플래시 -도 또한
기본 제품 번호:
W25Q80
메모리 포맷:
플래시
소개
플래시도 또한 메모리용 IC 8Mbit SPI는 - 입출력 104 마하즈 8-soic을 공목을 넣습니다
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
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![]() |
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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![]() |
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
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![]() |
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
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![]() |
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
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![]() |
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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W94AD2KBJX5E |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
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W631GG6NB-15 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
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![]() |
W25M512JWEIQ TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
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![]() |
W632GU6NB09I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
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![]() |
W29N01HZSINA TR |
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
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![]() |
W25Q01NWSFIQ TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
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W631GG6NB09I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
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W9812G6KH-6 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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![]() |
W25Q16JVSNIM TR |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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W66BM6NBUAFJ TR |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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W25Q256JVEIM |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9816G6JH-5 TR |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
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W25Q128JWPIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W25R128JWEIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
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W971GG8NB-18 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W25N01GVTBIG |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
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W25N02KVZEIU |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9412G6KH-5 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
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W25Q16JWSSIQ |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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